Входы операционных усилителей
Когда входной ток смещения ОУ представляет интерес?
В какой конфигурации минимальное напряжение смещения?
Входы операционных усилителей (ОУ) широко различаются по структуре и характеристикам. Эта статья, как введение в описание входов ОУ, может оказать помощь при определении типа входной структуры при использовании таблицы параметров.
В таблице приведены основные характеристики различных типов входных каскадов современных ОУ, и для каждого типа структуры описываются ее преимущества и недостатки.
Тип входного каскада ОУ |
Напряжение смещения VOS |
Ток смещения IB |
Ток сдвига IOS |
Темп. коэф. тока смещения TCIB |
Комментарии |
PNP |
100мкВ…2мВ |
100нА…1мА |
10% IB |
<20% |
общие характеристики; |
NPN |
10мкВ…1мВ |
100нА…1мкА |
10% IB |
<20% |
обычно используется в прецизионных усилителях с двухполярным питанием |
Rail-to-Rail |
500мкВ…5мВ |
±100нА…1мкА |
50% IB |
<40% |
используются PNP и NPN транзисторы; |
CMOS–P |
1мВ…20мВ |
±10пА…1нА |
=IB |
10 раз на 30° |
минимальный IB; |
CMOS–N |
1мВ…20мВ |
±10пА…1нА |
=IB |
10 раз на 30° |
похожие характеристики с CMOS–P; |
CMOS |
1мВ…20мВ |
±10пА…1нА |
=IB |
10 раз на 30° |
используются p- и n-канальные транзисторы; |
Другие разновидности входных каскадов |
|||||
NPN с компенсацией IB |
10мкВ…200мкВ |
±10нА…100нА |
50% IB |
<40% |
внутреннее токовое зеркало используется для компенсации IB |
ОУ с токовой обратной связью |
500мкВ…5мВ |
±100нА…10мкА |
– |
<40% |
высокоскоростные; |
JFET ОУ |
500мкВ…2мВ |
±10пА…1нА |
=IB |
10 раз на 50° |
редко встречающийся; |
JFET буфер |
500мкВ…10мВ |
±10пА…1нА |
– |
10 раз на 50° |
очень большое входное сопротивление |
Пояснения к таблице:
1. Напряжение смещения VOS – параметр свойственный любому неидеальному ОУ; показывает, какое напряжение необходимо подать на вход ОУ, чтобы выходное напряжение оказалось равным нулю;
2. Ток смещения IB – среднеарифметическое от входных токов инвертирующего и неинвертирующего входов;
3. Ток сдвига IOS – разность входных токов инвертирующего и неинвертирующего входов;
4. Температурный коэффициент тока смещения TCIB – параметр, показывающий во сколько раз увеличится ток смещения ОУ при увеличении температуры. CMOS и JFETимеют очень высокий коэффициент – ток смещения увеличивается в 10 раз при увеличении температуры на 30-50.
Входные каскады с PNP-транзисторами наиболее часто применяются из-за малых напряжения и тока смещения, а также возможности работы с однополярным питанием. Все большее место отвоевывают себе так называемые Rail-to-Rail ОУ, т.е. ОУ с диапазоном выходного сигнала практически совпадающим с диапазоном питания.
В общем случае, если разработчику необходимо малое напряжение смещения, то ему необходимо использовать ОУ с входными каскадами на биполярных транзисторах, если необходим высокий входной импеданс, то требуется ОУ с входными каскадами на CMOS -транзисторах. Входные каскады на CMOS-транзисторах с успехом могут заменить входные каскады на JFET-транзисторах; ОУ на последних очень дороги.